在新能源及新一代通訊行業(yè)，隨著微電子信息技術、大規(guī)模集成電路（LSI）、多芯片組件（MCM）和微機電系統(tǒng)（MENS）等技術的迅速發(fā)展，對電子整機的要求越來越高，這種要求越來越迫切，促使它們朝著微型化、便攜式、高性能等方向發(fā)展。
高密度集成是實現(xiàn)上述功能的效解決方案，高密度集成可以將各種電子設備復雜的功能集成到更小的組件中，而實現(xiàn)高密度集成的關鍵是解決元器件的散熱問題。對于電子器件而言，通常溫度每升高10°C，器件效壽命就降低30%~50%。因此，選用合適的封裝材料與工藝、提高器件散熱能力就成為發(fā)展功率器件的技術瓶頸。
以大功率LED封裝為例，由于輸入功率的70%~80%轉(zhuǎn)變成為熱量（只有約20%~30%轉(zhuǎn)化為光能），且LED芯片面積小，器件功率密度很大（大于100W/cm2），因此散熱成為大功率LED封裝須解決的關鍵問題。
如果不能及時將芯片發(fā)熱導出并消散，大量熱量將聚集在LED內(nèi)部，芯片結(jié)溫將逐步升高，一方面使LED性能降低（如發(fā)光效率降低、波長紅移），另一方面將在LED器件內(nèi)部產(chǎn)生熱應力，引發(fā)一系列可靠性問題（如使用壽命、色溫變化等）。
如果不能及時將芯片發(fā)熱導出并消散，大量熱量將聚集在LED內(nèi)部，芯片結(jié)溫將逐步升高，一方面使LED性能降低（如發(fā)光效率降低、波長紅移），另一方面將在LED器件內(nèi)部產(chǎn)生熱應力，引發(fā)一系列可靠性問題（如使用壽命、色溫變化等）。
伴隨著功率器件（包括LED、LD、IGBT、CPV等）不斷發(fā)展，采用高導熱材料制作電路基板是實現(xiàn)微電路散熱的效方法之一。
